STL60N10F7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而苦恼？想象一下，一颗集高性能、低损耗与微型封装于一体的功率开关，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STL60N10F7之中。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，绝不仅仅是参数表上的冰冷数字。它承载着STripFET VII与DeepGATE两大核心技术的基因，将100V的耐压能力与低至18毫欧的导通电阻完美融合在微小的PowerFlat封装内。这意味着，在高达46A的连续电流下，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其卓越的开关特性与低栅极电荷，更能让您的系统以更高频率稳定运行，显著提升整体能效与动态响应速度。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要爆发力与持续性的电机驱动，甚至是高效LED照明与适配器中的关键开关，STL60N10F7都能游刃有余。它那仅5x6毫米的纤薄身躯，能轻松嵌入空间受限的现代电子设备，帮助您实现更小巧、更轻量化的工业设计。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是赋予了它在恶劣环境下稳定运行的可靠基因，确保您的终端产品在各种挑战中依然表现坚如磐石。

选择STL60N10F7，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高性能保障。它不仅解决了功率与尺寸的矛盾，更通过降低系统热管理难度，间接为您节省了综合成本，加速产品上市周期。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，请务必通过正规的ST授权代理进行采购，这是确保产品链正宗、性能无忧、并获得完整售后服务的关键一步。让STL60N10F7成为您下一款明星产品中那颗强劲而高效的心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STL60N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL60N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。