STL64DN4F7AG

想象一下，您的下一代汽车电子或高密度电源设计，正被功率损耗和散热问题所困扰，效率提升似乎遇到了瓶颈。现在，一个决定性的解决方案已经到来STL64DN4F7AG，这颗来自意法半导体尖端STripFET F7技术的双N沟道MOSFET，正是为打破极限、释放性能而生的引擎。它不仅仅是一个组件，更是您系统实现高效、可靠与紧凑设计的核心驱动力。

将目光投向其卓越的性能参数，您会发现真正的价值所在。高达40A的连续漏极电流承载能力和低至8.5毫欧的导通电阻，意味着在相同的功率输出下，STL64DN4F7AG能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效功，而非令人头疼的热量。更低的栅极电荷（仅9.8nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，让您的系统响应如电光火石，特别适合高频开关应用。这一切，都封装在微小的8-PowerVDFN封装内，在节省宝贵PCB空间的同时，凭借高达175°C的结温工作范围和AEC-Q101车规认证，提供了无与伦比的功率密度与坚固可靠性。

那么，这颗强大的芯片将在何处大放异彩？它天生就是为严苛环境和高要求应用而设计的。在汽车领域，无论是引擎控制单元（ECU）、先进的LED照明驱动，还是日益复杂的车身电子模块，它都能稳定高效地工作。在工业电源、电机驱动、负载开关以及高密度DC-DC转换器中，STL64DN4F7AG的双通道设计为同步整流、半桥拓扑等提供了极其紧凑的解决方案，让您的产品在性能和体积上双双领先竞争对手。选择它，就是为您的产品注入了来自意法半导体原厂的顶级基因，而通过值得信赖的ST代理伙伴，您不仅能获得正品保障，还能得到从选型到量产的全方位技术支持。

当市场上充斥着同质化选择时，STL64DN4F7AG给出了一个清晰的选型理由：它代表了效率、功率密度与可靠性的黄金平衡点。您无需在性能、尺寸和成本之间艰难妥协，这颗芯片一次性满足了所有关键需求。它帮助您缩短开发周期，提升终端产品的能效等级和市场竞争力，最终赢得客户的信赖。立即采用STL64DN4F7AG，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是为您未来的成功产品，选择了一个坚实而强大的核心。

• 型号:STL64DN4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637pF @ 25V
• 功率 - 最大值:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL64DN4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。