STL65DN3LLH5

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和效率的平衡而妥协？想象一下，一颗能够同时承载65A大电流、导通电阻却低至6.5毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是STL65DN3LLH5双N沟道MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个元件，更是您实现高效、可靠、紧凑电源设计的强大引擎。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的负载点（POL）转换，还是电动工具、无人机中需要爆发力与持久续航的电机驱动，甚至是汽车电子中的辅助电源模块，STL65DN3LLH5都能游刃有余。其30V的耐压与65A的连续电流能力，为中等电压应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是其逻辑电平门驱动特性，仅需1.5V的阈值电压和极低的栅极电荷，意味着它可以直接与微控制器或低电压逻辑电路无缝对接，大大简化了驱动电路设计，让系统响应更快，整体功耗更低。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了产品在各种恶劣环境下的卓越可靠性。

选择STL65DN3LLH5，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。它隶属于ST意法半导体广受赞誉的STripFET V产品家族，该系列以优异的品质和性能著称。尽管该型号目前已停产，但其成熟的设计和出色的参数表现，使其依然是许多经典或特定延续性项目的理想选择。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师来说，通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取这颗性能“老兵”，为您的产品注入经久不衰的动力。其采用先进的8-PowerVDFN封装（PowerFLAT），在提供高达60W散热能力的同时，实现了极小的占板面积，完美契合了当今电子产品小型化、高密度的设计趋势。让STL65DN3LLH5成为您提升产品竞争力、优化系统性能的秘密武器吧。

• 型号:STL65DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL65DN3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。