STL75NH3LL

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称典范的解决方案STL75NH3LL。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET技术，重新定义了30V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的下一款高端无人机电调、高性能电动工具或高密度服务器电源中，STL75NH3LL正在默默发挥着核心作用。其高达75A的连续漏极电流承载能力和低至5.7毫欧的超低导通电阻，意味着在相同功率下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热损耗。这直接转化为更长的设备运行时间、更冷静的系统工作温度以及更可靠的整体性能。无论是应对瞬间爆发的启动电流，还是处理持续的高负载工作，它都能游刃有余，确保动力输出的澎湃与稳定。

选择STL75NH3LL，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的先进PowerFlat（5x6）封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加纤薄、紧凑。高达60W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和鲁棒性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定高端或存量项目市场中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。让STL75NH3LL成为您撬动高效能未来的支点，开启产品性能的新篇章。

• 型号:STL75NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL75NH3LL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。