STL76DN4LF7AG

当您的下一代汽车电子系统设计面临功率密度与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高效能与极致稳定性的解决方案？答案或许就藏在STL76DN4LF7AG这颗双N沟道功率MOSFET阵列之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体价值、赢得市场竞争的关键引擎。

想象一下，在严苛的汽车环境中，无论是引擎控制单元（ECU）中精准的电机驱动，还是LED照明系统里高效的恒流控制，亦或是先进的48V轻混系统中负责能量分配与管理的核心开关，都需要一颗“心脏”能够持续、稳定、高效地跳动。STL76DN4LF7AG正是为此而生。它采用意法半导体引以为傲的STripFET F7技术，将双通道集成于紧凑的8-PowerVDFN封装内，在高达175°C的结温下依然游刃有余，其低至6毫欧的导通电阻（RDS(on)）意味着更低的传导损耗和发热，直接转化为更长的续航里程或更小的散热设计压力，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择它，就是选择了一份来自AEC-Q101车规认证的安心保障。从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保了从冰天雪地到炎热沙漠的全天候可靠运行。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），简化了您的驱动电路设计。这意味着您可以减少外围元件数量，缩小PCB面积，最终实现系统成本的整体优化和可靠性的进一步提升。如果您正在通过值得信赖的ST代理渠道寻找能够承载未来出行愿景的功率开关解决方案，那么这颗集高性能、高可靠性、高集成度于一身的芯片，无疑是您设计蓝图上的理想拼图，它将助力您的产品在智能电动化的浪潮中，动力澎湃，行稳致远。

• 型号:STL76DN4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:956pF @ 25V
• 功率 - 最大值:71W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL76DN4LF7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。