STL7LN65K5AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色热性能和紧凑尺寸的功率开关器件而反复权衡？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍意法半导体（STMicroelectronics）专为严苛应用打造的明星产品STL7LN65K5AG。这颗采用先进PowerFlat VHV封装的N沟道MOSFET，以其高达650V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，为您的高压开关、电源转换和电机驱动应用注入强劲而可靠的核心动力。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品性能、缩小系统体积、增强市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）中，需要高效、紧凑地处理高电压；在工业伺服驱动器中，要求快速、精准地控制电机启停与调速；在通信电源和UPS（不间断电源）里，对系统的效率与可靠性有着近乎苛刻的标准。STL7LN65K5AG正是为这些挑战性场景而生。其极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。宽达-55°C至150°C的结温工作范围，配合AEC-Q101车规认证，确保了它在从酷寒到炎热的极端环境下依然稳定如一，满足汽车电子及工业领域对长效寿命和零缺陷的追求。

选择STL7LN65K5AG，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。其创新的PowerFlat（5x6）VHV封装，在提供卓越散热能力（最大功耗79W）的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加纤薄、集成度更高。无论是升级现有方案还是开发全新平台，这颗芯片都能让您轻松应对高压、高频的开关需求，显著缩短研发周期。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与供货渠道，专业的ST中国代理将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。立即采用STL7LN65K5AG，让它成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能控制新纪元。

• 型号:STL7LN65K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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