STL80N75F6

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在高功率密度下稳定运行，同时将导通电阻压至极低的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，STL80N75F6的到来，正是为了回应这一挑战。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

这颗源自ST意法半导体先进STripFET VI技术与DeepGATE工艺的N沟道MOSFET，天生为高效而生。其低至6.3毫欧的导通电阻，意味着在高达80A的连续电流下，它能将导通损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为有用功，而非令人头疼的热量。无论是服务器电源、工业变频器，还是新能源车上的DC-DC转换器，STL80N75F6都能游刃有余地应对高频开关与高负载的严苛考验。其PowerFlat（5x6）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让您在紧凑设计中也能实现高达80W的功率耗散，轻松驾驭-55°C至175°C的广阔工作温度范围。

选择STL80N75F6，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。它代表了在75V电压平台下功率处理的标杆水平。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，为现有产品线的维护或特定高性能项目提供稳定支持。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入持久可靠性与卓越能效的价值投资。让它成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STL80N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL80N75F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。