STL85N6F3

当您的下一个电源设计项目需要在高功率密度与卓越效率之间取得完美平衡时，您是否正在寻找那颗能够承载重任、稳定可靠的核心开关器件？答案或许就藏在STL85N6F3之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达85A的连续漏极电流和仅60V的漏源电压，精准定位了中高功率、高效率转换的广阔需求。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、缩小产品体积、降低整体能耗的战略性选择。

想象一下，在紧凑的服务器电源模块内部，热量是最大的敌人，而效率则是终极的追求。STL85N6F3凭借其先进的STripFET技术，将导通电阻（RdsOn）控制在极低的5.7毫欧水平，这意味着在通过大电流时，由导通损耗产生的热量被大幅削减，系统得以在更凉爽、更稳定的状态下运行。其PowerFlat（5x6）封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式更是为自动化生产和高密度PCB布局铺平了道路，让您的电机驱动、DC-DC转换器或电池管理系统设计能够轻松应对空间限制的挑战。

为何众多工程师在面临关键选型时会倾向于它？因为价值体现在每一个细节。高达80W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境与突发负载的坚韧体魄。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源频率、进一步缩小无源器件尺寸至关重要。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道时，选择值得信赖的ST代理合作伙伴，就能确保这颗高性能芯片顺利集成到您的蓝图中。选择STL85N6F3，不仅是选择了一个组件，更是选择了一条通往更高能效、更可靠设计和更具市场竞争力的产品的清晰路径。

• 型号:STL85N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL85N6F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。