STL8N10F7

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾高功率密度与低温升表现的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，答案就在STL8N10F7之中。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其革命性的低导通电阻在10V驱动下仅20毫欧，为您打开了高效能量转换的大门，直接将导通损耗降至新低，让每一分电能都物尽其用。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断追求轻薄化的车载充电器，STL8N10F7都能游刃有余。它100V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流，赋予了系统强大的功率处理能力和可靠性保障。其采用的先进STripFET VII技术与DeepGATE结构，不仅优化了开关性能，更确保了在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，直面各种复杂环境挑战。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾。

选择STL8N10F7，意味着您选择了一种更明智的设计哲学。它超低的栅极电荷（仅22nC）和输入电容，显著降低了驱动损耗和开关延迟，让高频开关应用变得轻松而高效。小巧的PowerFlat 3.3x3.3封装在节省宝贵板面积的同时，其优异的散热特性确保了高达50W（Tc）的功率耗散能力。这不仅仅是一颗晶体管，更是一个提升整机效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的综合解决方案。让它成为您下一个爆款产品的核心动力，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STL8N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。