STL8N65M2

在追求极致能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STL8N65M2，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正以其高达650V的漏源电压和卓越的开关性能，重新定义中高功率应用的效率标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明系统中，STL8N65M2正扮演着能量高效转换的核心角色。无论是服务器电源、工业变频器，还是高功率LED驱动和家用电器，这颗芯片都能轻松应对严苛的高压环境。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从酷寒到酷热的各种极端条件下，系统依然稳定如初，让您的产品无惧环境挑战，全天候可靠运行。

选择STL8N65M2，意味着您选择了经过市场验证的卓越品质与前沿技术的完美结合。ST意法半导体深厚的工艺积累，赋予了它低导通电阻和优异的开关特性，能显著降低导通和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。这不仅有助于缩小散热器尺寸、优化整体布局，更能为您节省可观的系统成本与宝贵的开发时间。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的合作伙伴ST一级代理，将为您提供从样品到批量生产的全方位支持。拥抱STL8N65M2，就是拥抱更高效、更紧凑、更可靠的未来电源解决方案，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:STL8N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。