STL90N10F7

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关中保持冷静，在严苛环境下稳定输出的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您介绍的正是这样一款性能标杆STL90N10F7。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战效率极限而生。

当您的设计涉及服务器电源、工业电机驱动或高密度车载充电器时，对功率器件的考验是全方位的。STL90N10F7以其100V的漏源电压和高达70A的连续漏极电流，为这些高压、大电流应用场景提供了坚实的基石。其革命性的低导通电阻在10V驱动电压下仅10.5毫欧，意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。搭配极低的栅极电荷（39nC）和优化的输入电容，它实现了惊人的快速开关性能，显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。

选择STL90N10F7，就是选择了一份从容与可靠。其采用先进的PowerFlat（5x6）封装，不仅实现了优异的散热性能，支持高达100W（Tc）的功率耗散，更大幅节省了宝贵的PCB空间，助力产品小型化设计。高达175°C的结温工作能力，确保了它在恶劣工况下的长久稳定运行。无论您是在升级现有方案还是开拓全新领域，这颗芯片都能让您摆脱性能瓶颈，专注于实现更宏伟的创新。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴，我们作为专业的ST芯片代理，随时准备为您提供从选型到供应的全方位支持，助您将卓越的芯片性能，转化为产品的市场竞争力。

• 型号:STL90N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL90N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。