STL92N10F7AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高效率与紧凑尺寸的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STL92N10F7AG，正是意法半导体为应对这一挑战而精心打造的解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是将高性能、高可靠性与汽车级品质融于一体的能量控制核心，旨在为您的下一代产品注入强劲而稳定的动力心脏。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元中，或在工业自动化设备的伺服控制器里，每一次精准的电流通断都关乎系统的整体效率与响应速度。STL92N10F7AG凭借其100V的漏源电压和高达16A的连续漏极电流承载能力，轻松应对主流48V系统及更高电压平台的应用需求。其核心优势在于极低的导通电阻在10V驱动电压、8A电流下，最大值仅为9.5毫欧，这意味着更少的导通损耗，更低的发热量，直接将电能更高效地转化为有用功，让您的设备运行更“冷静”，续航更持久。其采用的先进STripFET技术，确保了出色的开关性能和功率密度，而PowerFlat（5x6）封装则在有限的PCB空间内实现了高达100W（Tc）的出色散热能力，为高密度设计扫清了障碍。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，工作温度范围宽达-55°C至175°C（TJ），这意味着无论是北方严寒的清晨，还是引擎舱内的高温环境，它都能稳定如一，为车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及各类电机驱动应用提供坚如磐石的保障。同时，其优化的栅极电荷（Qg最大值45nC @ 10V）和输入电容特性，有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关频率，从而让电源设计可以选用更小的磁性元件，进一步优化系统体积与成本。

选择STL92N10F7AG，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续的技术支持。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货渠道，更能为您提供专业的技术选型支持和丰富的应用参考。当您致力于打造更高效、更可靠、更具竞争力的电源与电机驱动产品时，让STL92N10F7AG成为您设计中那个值得信赖的“强力开关”，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STL92N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 欧姆 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL92N10F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。