STLD125N4F6AG

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在保持极致紧凑的同时，释放出120A的澎湃动力？这正是STLD125N4F6AG为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F6家族的明星成员，这颗N沟道功率MOSFET以其革命性的低导通电阻和超凡的电流处理能力，正在重新定义高效率、高功率密度设计的边界。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现性能飞跃、缩小体积、降低热损耗的关键引擎。

无论是面对迅猛发展的电动汽车车载充电器(OBC)、DC-DC转换器，还是对空间和效率都极为苛刻的服务器电源、工业电机驱动，STLD125NF6AG都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和120A的连续漏极电流，为处理大功率瞬态提供了坚实的保障。在电动工具、无人机电调等需要瞬间爆发力的应用中，它能确保动力输出强劲而稳定。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是让它无惧严寒酷暑，在工业自动化、户外能源设备等严苛环境中依然可靠运行，成为工程师应对多样化挑战的可靠伙伴。

选择STLD125N4F6AG，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其采用的先进PowerFlat（5x6）双面封装，不仅实现了超低的3毫欧典型导通电阻，极大降低了导通损耗，还通过卓越的散热设计将热阻降至新低，让您的系统在高效运行的同时保持“冷静”。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，能显著提升整体系统效率。当您寻求顶级的功率解决方案时，与值得信赖的ST芯片代理合作，确保获得正品货源与专业的技术支持，是项目成功的重要一环。让STLD125N4F6AG成为您下一个明星产品的“动力心脏”，共同开启高效、紧凑、可靠的新篇章。

• 型号:STLD125N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• STLD125N4F6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。