STN0214

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的选型而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍STN0214，这颗来自ST意法半导体的高性能NPN晶体管，以其高达1200V的集射极击穿电压和1.6W的功率处理能力，为您的高压侧驱动、开关电源和离线式转换器设计，注入了一剂强心针。它不仅仅是一个元件，更是您系统稳定与效率跨越的基石。

想象一下，在紧凑的LED驱动电源板、小巧的智能电表或是需要可靠隔离的辅助电源模块中，STN0214能够轻松胜任。其SOT-223的表面贴装封装，在节省宝贵PCB空间的同时，确保了优异的散热性能，让您的设计在高达150°C的结温下依然从容不迫。无论是应对市电整流后的高压环境，还是在需要快速、稳定开关动作的场合，它都能提供坚实的性能保障，让您的产品在严苛的应用场景中脱颖而出。

选择STN0214，就是选择了一份来自世界级半导体制造商的品质承诺。其极低的集电极截止电流（仅10A）和优异的饱和压降特性（300mV @ 100mA），直接转化为更低的系统功耗和更高的整体能效。这意味着更长的设备寿命、更少的发热以及更优的成本控制。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得原装正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持与便捷的供应链服务。让我们携手，用STN0214的强大性能，点亮您下一个创新项目的无限可能。

• 型号:STN0214
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 20mA，100mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:3 @ 200mA，2V
• 功率 - 最大值:1.6 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 供应商器件封装:SOT-223
• STN0214的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。