STN1HNK60

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和空间布局而妥协？让我们为您介绍一款能够打破平衡、重塑标准的选择STN1HNK60。这款来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和精心优化的动态特性，正在成为中小功率开关电源、照明驱动和工业控制领域的新宠。它不仅是一颗元件，更是您提升产品整体竞争力、实现性能飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的LED驱动电源中，需要一颗既可靠又高效的开关管。STN1HNK60的400mA连续漏极电流与低至8.5欧姆的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的灯具在长时间运行下依然保持清凉与稳定，光效和寿命得以显著提升。而在辅助电源或家电控制板上，其极低的栅极电荷（仅10nC）和输入电容，能大幅降低开关损耗，驱动起来轻松自如，让您的系统整体效率轻松攀上新高点。无论是反激式拓扑还是功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，赋予设计更大的灵活性和可靠性。

选择STN1HNK60，就是选择了一份经过市场验证的卓越基因。SuperMESH技术确保了其在高压应用下的坚固性与快速开关性能，而SOT-223的紧凑封装则在节省宝贵PCB空间的同时，提供了优异的散热能力。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对各种严苛环境。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STN1HNK60成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠、紧凑的电源设计新篇章。

• 型号:STN1HNK60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1HNK60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。