STN2NE10

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时保持出色热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STN2NE10。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和2A的连续电流能力，早已成为众多工程师在中小功率应用中的信赖之选。虽然它已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性，使其库存产品依然在市场上闪烁着不可替代的价值光芒，尤其适合那些追求高可靠性、对经典成熟方案有需求的批量项目。

想象一下，在您手中的便携式设备、智能家居模块或工业控制板的电源管理部分，STN2NE10正在默默发挥着关键作用。它那仅400毫欧的低导通电阻（在1A, 10V条件下），意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让设备的电池续航更持久，运行温度更凉爽。其SOT-223的紧凑封装，完美平衡了功率处理能力与占板空间，让您的PCB布局更加游刃有余。无论是DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动中的H桥臂，还是负载开关与LED调光，它都能以稳定可靠的表现为您的产品保驾护航。选择一家可靠的ST芯片代理，您就能轻松获取这颗经典芯片，为您的设计注入经久不衰的动力。

那么，为何在众多选择中，依然要考虑STN2NE10呢？答案在于其背后STripFET技术的深厚底蕴。这项技术确保了器件在开关速度、栅极电荷（仅19nC）和热性能之间取得了精妙的平衡。较低的栅极电荷意味着驱动电路可以更简单、更高效，从而降低系统整体复杂性和成本。高达150°C的结温工作能力，赋予了它强大的环境适应性。对于正在维护或升级现有产品线的工程师而言，采用这颗经过长期实践检验的芯片，能最大程度地降低设计风险，确保产品的一致性与可靠性。它代表的不仅仅是一个元件，更是一种对品质和稳定性的承诺。

• 型号:STN2NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN2NE10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。