STN2NE10L

在追求更高能效的电子设计竞赛中，您是否还在为寻找一颗能在紧凑空间内稳定驱动中小功率负载的“心脏”而烦恼？想象一下，一个100V的电压平台，需要高效、可靠的开关控制，而板卡空间却极其有限这正是STN2NE10L大显身手的舞台。作为ST意法半导体STripFET家族的杰出成员，这颗N沟道MOSFET以其卓越的平衡性，为您带来性能与体积的完美统一。

无论是智能家居中的电源管理模块，还是工业自动化设备里的电机驱动单元，甚至是车载充电器的辅助电路，STN2NE10L都能游刃有余。它100V的漏源电压和1.8A的连续漏极电流，为各种中小功率开关应用提供了坚实的保障。其低至400毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。当您的设计面临高温挑战时，它高达150°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。

选择STN2NE10L，就是选择了一份来自业界巨头的品质承诺。STripFET技术赋予了它优异的开关特性和坚固性。SOT-223的紧凑封装，让您在有限的PCB面积上实现强大的功能集成，简化布局，加速产品上市。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保生产计划的连续性。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的得力伙伴。让这颗经过市场验证的芯片，为您的下一个创新项目注入高效与稳定的基因。

• 型号:STN2NE10L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN2NE10L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。