STN3NF06

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关节点，既要承受高达60V的电压冲击，又要流畅地处理4A的连续电流，同时还要将导通损耗降至最低这正是STN3NF06大显身手的舞台。作为ST意法半导体STripFET II家族的明星成员，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能，正在重新定义中小功率应用的效率标准。

无论是为紧凑型电源适配器提供高效整流，还是在电机驱动模块中实现精准的PWM控制，STN3NF06都能轻松胜任。其低至100毫欧的导通电阻（在1.5A，10V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。在DC-DC转换器、电池保护电路、LED驱动或是负载开关中，它都能确保能量以最高效的方式传递。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏。

那么，为何众多工程师在众多选项中独钟于STN3NF06？答案在于其精妙的平衡艺术。它不仅在电气性能上表现出色高达60V的漏源电压和4A的连续电流能力提供了充足的余量，确保系统稳定可靠；其SOT-223的紧凑封装更是将高性能与节省板面空间完美结合，非常适合空间受限的现代电子产品。更低的栅极电荷（仅13nC @ 10V）和输入电容，意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，提升整体系统频率和响应速度。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能从容应对各种严苛环境。当您需要可靠且高性能的功率开关解决方案时，STN3NF06无疑是经过市场验证的明智之选。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴ST芯片代理将随时为您提供专业服务。

• 型号:STN3NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3NF06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。