STN3P6F6

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能在高电压下稳定工作，同时将导通电阻降至毫欧级别的开关器件，将如何彻底改变您的设计。现在，这一切不再是想象，STN3P6F6的到来，正是为了终结效率与体积的妥协。

这款来自意法半导体的P沟道功率MOSFET，天生就是为高效、紧凑的应用而生。它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，在仅160毫欧的超低导通电阻下，轻松驾驭高达60V的电压和3A的连续电流。这意味着在DC-DC转换器、电机驱动或负载开关中，它能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而不是无谓的热量。其卓越的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上一个台阶。

无论是工业自动化中需要可靠开关的PLC模块，还是消费电子里对空间和续航都极为苛刻的便携设备，甚至是汽车电子中的辅助电源管理，STN3P6F6都能游刃有余。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气。紧凑的SOT-223封装，在节省宝贵PCB空间的同时，其优异的散热能力确保了功率的稳定释放。当您需要构建一个既高效又可靠的系统时，选择STN3P6F6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。我们作为专业的ST中国代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更致力于为您提供全面的技术支持和供应链服务，助您的产品在市场中脱颖而出。

为何众多工程师在关键设计中转向STN3P6F6？答案在于它带来的综合价值提升。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是一个能简化您设计、提升系统级性能的解决方案。更低的损耗意味着更小的散热器需求，甚至无需散热器，从而降低了整体BOM成本和设计复杂度。快速的开关特性让您能够使用更高频率的拓扑，进一步缩小无源元件的体积。从原型验证到批量生产，选择STN3P6F6，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性、更具成本竞争力的产品开发路径。立即体验它如何为您的下一个设计注入强劲动力。

• 型号:STN3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3P6F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。