STO36N60M6

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STO36N60M6的到来，正是为了解答这个难题。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6技术家族的杰出代表，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，为高效能源转换树立了新的标杆。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STO36N60M6都能游刃有余。其600V的漏源电压和30A的连续漏极电流，赋予了它应对严苛高压大电流环境的强大底气。而TOLL（HV）封装不仅实现了紧凑的表面贴装，节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保器件在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，将高达230W的功率耗散轻松驾驭，让您的系统设计告别过热风险，运行更持久、更安静。

选择STO36N60M6，就是选择了一份面向未来的投资。其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统整体效率得到显著提升，直接转化为更低的运营成本和更绿色的产品足迹。同时，其稳健的驱动特性（Vgs(th)最大值4.75V）和宽泛的栅源电压耐受范围（±25V），让驱动电路设计更加简单可靠。当您需要将这份卓越性能快速集成到项目中时，可以信赖专业的ST代理商，他们能提供从技术支援到稳定供货的全链条服务。让STO36N60M6成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效革命的新篇章。

• 型号:STO36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO36N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。