STO47N60M6

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻压至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力。现在，这一切不再是想象，STO47N60M6的到来，正是为了解答这个难题，为您带来前所未有的高效与可靠。

这款源自意法半导体MDmesh M6系列的N沟道MOSFET，天生就是为高效能量转换而生的利器。其80毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流下，产生的热量更少，能量损耗显著降低。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STO47N60M6都能轻松应对严苛的高压、大电流工作环境。它就像一位不知疲倦的能源管家，确保每一份电能都被高效、精准地输送和利用，让您的终端设备运行更冷静、更持久、更稳定。

选择STO47N60M6，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。其采用的先进TOLL封装，不仅提供了卓越的散热性能，助力实现255W的高功率耗散，还优化了PCB布局空间，让您的设计更加紧凑。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体频率和效率至关重要。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道时，我们的ST代理团队将随时为您提供专业服务，从选型到量产，全程护航。让STO47N60M6成为您下一代高性能电源设计的核心引擎，共同开启能效新纪元。

• 型号:STO47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO47N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。