STO67N60M6

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个革命性的解决方案STO67N60M6。这款来自ST意法半导体MDmesh M6家族的600V N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了高效率功率开关的可能性。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、实现绿色能源目标的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STO67N60M6正以其高达34A的连续漏极电流和仅54毫欧的超低导通电阻，大幅降低传导损耗。其先进的TOLL封装不仅提供了优异的散热性能，支持150W的功率耗散，更节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更紧凑、更高效。无论是面对严苛的工业环境还是要求7x24小时不间断运行的通信设备，它都能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，确保系统长久可靠。

选择STO67N60M6，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源系统轻松跨越能效门槛，满足最严格的能效标准。这背后，是ST意法半导体深厚的MDmesh技术积淀，而通过值得信赖的ST中国代理，您可以便捷地获得正品货源、全面的技术支持和灵活的供应链服务，让创新之路畅通无阻。立即采用STO67N60M6，为您的下一个功率设计注入强劲动力与非凡可靠性！

• 型号:STO67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO67N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。