STP03D200

当您的设计需要面对高达1200V的电压挑战时，是否曾为寻找一颗既能稳定工作又具备出色性价比的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体的STP03D200，这颗NPN达林顿晶体管，正是为应对严苛的高压环境而生。它不仅仅是一个元件，更是您系统可靠性的坚实基石，让高压不再是设计的瓶颈，而是性能飞跃的起点。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、电子镇流器或是高压逆变器中，稳定的高压开关性能至关重要。STP03D200凭借其高达1200V的集射极击穿电压和100mA的集电极电流能力，能够轻松驾驭这些应用场景。其达林顿结构提供了极高的电流增益（最小200 @ 30mA, 10V），这意味着您可以用极小的基极驱动电流，精准控制更大的负载电流，不仅简化了前级驱动电路的设计，更显著提升了整体系统的能效。在TO-220-3经典封装下，它集成了高达40W的功率处理能力，并能在结温高达150°C的环境中稳定运行，确保您的设备在长时间、高负荷工况下依然坚若磐石。

为何众多工程师在面临高压选型时，会毫不犹豫地选择STP03D200？因为它将卓越性能与实用价值完美结合。相较于普通高压晶体管，其饱和压降低至2V（@ 500A, 50mA），有效减少了导通损耗，让电能更高效地转化为动力，而非无谓的热量。极低的集电极截止电流（最大100A）则保证了在关断状态下的极低泄漏，提升了系统的待机效率和安全性。这颗芯片是意法半导体深厚工业技术积淀的结晶，选择它，就是选择了经过市场验证的可靠性与一致性。如果您正在寻找稳定可靠的ST芯片代理合作伙伴，以确保这颗优质芯片的稳定供应与技术支持，我们随时准备为您服务，助您将创新构想快速、稳妥地转化为市场领先的产品。

• 型号:STP03D200
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 1200V 0.1A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2V @ 500A，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 30mA，10V
• 功率 - 最大值:40 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STP03D200的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。