STP100N10F7

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流，又能保持低温高效运行的MOSFET而反复权衡？现在，答案已经揭晓。意法半导体推出的STP100N10F7，正是为满足严苛应用需求而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流如江河奔涌。STP100N10F7凭借其100V的耐压和高达80A的连续漏极电流承载能力，为这些核心应用提供了坚实的动力基础。其采用的先进STripFET VII技术与DeepGATE工艺，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下压降至仅8毫欧（@40A），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是应对瞬间的峰值负载，还是在持续的高负荷下运行，它都能保持出色的稳定性和效率，让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择STP100N10F7，就是选择了一份从容与信心。其极低的栅极电荷（Qg）和优化的开关特性，显著降低了开关损耗，让高频开关应用的设计变得更为轻松，系统整体效率得以进一步提升。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和TO-220的经典封装，确保了它在各种恶劣环境下的卓越适应性和易于集成的便利性。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片的价值，在于它用卓越的性能参数，将复杂的功率管理挑战转化为简洁高效的解决方案，直接赋能您的终端产品，赢得市场先机。

• 型号:STP100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP100N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。