STP100N8F6

当您的电源转换系统需要同时驾驭高功率与高效率时，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又能将导通损耗降至最低的“心脏”而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET F6系列中的明星产品STP100N8F6。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达100A的连续漏极电流和仅为9毫欧的超低导通电阻，重新定义了80V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现更紧凑设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量每经过一个环节就因器件损耗而白白浪费。STP100N8F6正是为解决这一痛点而生。其卓越的Rds(on)特性意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，转化为更少的热量，从而让您的设备运行得更凉爽、更稳定。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的通信基础设施，它都能游刃有余，确保动力核心坚若磐石。选择它，就是为您的关键应用上了一道可靠的保险。

那么，在众多功率器件中，为何STP100N8F6能脱颖而出？首先，其TO-220封装兼顾了出色的功率耗散能力（高达176W）与成熟的通孔安装工艺，为散热设计和生产组装提供了极大的便利。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，从容应对从寒带到热带的挑战。更重要的是，通过ST中国代理，您可以便捷地获得这颗源自意法半导体尖端STripFET F6技术的原装正品，享受从技术选型到供应链支持的全方位服务。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略伙伴。立即采用STP100N8F6，开启高效、可靠的电能驾驭之旅。

• 型号:STP100N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5955 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP100N8F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。