STP10N60M2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子世界，您是否正在寻找一款能在高压环境中稳定输出、同时将损耗降至最低的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STP10N60M2。它不仅仅是一个600V N沟道MOSFET，更是您提升系统效率、简化散热设计、实现紧凑布局的得力助手。其卓越的电气特性，如高达7.5A的连续漏极电流和仅为600毫欧的低导通电阻，意味着在开关电源、电机驱动等应用中，它能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，直接为您节省运营成本并提升产品竞争力。

想象一下，在您的服务器电源、工业变频器或LED照明驱动器中，STP10N60M2正以其强大的600V耐压能力，从容应对电网波动和感性负载带来的电压应力。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），使得整个系统的运行更加安静、高效。无论是用于硬开关拓扑还是软开关应用，它都能帮助您轻松达到更严格的能效标准，让您的产品在市场上脱颖而出。

选择STP10N60M2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的可靠性。其MDmesh II Plus技术专为降低导通电阻和优化开关性能而设计，确保器件在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。经典的TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（高达85W），兼顾了安装便利性与散热效率。当您需要可靠的供应链和技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，从样品申请到批量供货，全程保障您的项目顺利推进。让STP10N60M2成为您下一代高效、可靠电力电子设计的核心动力，开启能效新篇章。

• 型号:STP10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。