STP10N62K3

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？当传统MOSFET在高频高压下显得力不从心，一款革命性的功率器件正悄然改变游戏规则。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STP10N62K3，这颗拥有620V超高耐压和超低导通电阻的N沟道MOSFET，正是为高效、坚固的功率转换应用而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式、正激式还是PFC（功率因数校正）电路，STP10N62K3都能凭借其卓越的SuperMESH3技术大放异彩。其高达8.4A的连续漏极电流和仅750毫欧的超低导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，系统整体效率得到显著提升。这颗芯片就像一位不知疲倦的“能量守门员”，在频繁的开关动作中，凭借优化的栅极电荷（仅42nC）和输入电容特性，实现了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源产品不仅跑得快，更跑得“省”。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是照明镇流器和适配器，它都能轻松应对，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择STP10N62K3，就是选择了一份经得起时间考验的可靠承诺。其经典的TO-220AB封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，高达125W的功率耗散能力让它在高功率密度设计中游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为许多经典和特定应用设计的优选库存方案。对于正在寻找可靠、高性能功率开关解决方案的工程师而言，它代表了一个经过实战检验的标杆。如果您需要获取这款经典器件或咨询其替代及升级方案，我们的ST中国代理团队将为您提供专业的技术支持和供应链服务，帮助您将这份强大的功率性能，无缝集成到下一个引领市场的产品中。

• 型号:STP10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。