STP10NK60Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而烦恼？现在，一个卓越的解决方案已经到来STP10NK60Z，这颗来自ST意法半导体的SuperMESH功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力的核心引擎，其600V的耐压能力和10A的连续电流承载，为您的设计提供了坚实的安全边际和充沛的动力储备。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器等关键应用中，STP10NK60Z能够如何大显身手。它凭借其先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是转化为令人头疼的热量。更低的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关动作，减少了开关过程中的损耗，让您的系统运行得更快、更冷、更安静。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的PWM调制，它都能游刃有余，确保系统响应敏捷，运行稳定。

选择STP10NK60Z，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和高达115W的功率耗散能力，使其能够从容应对各种恶劣环境与高负荷挑战。经典的TO-220AB封装不仅提供了优异的散热性能，也简化了您的生产与组装流程。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。让STP10NK60Z成为您下一个成功项目的基石，它将用卓越的性能证明，高效与可靠可以兼得，为您的产品注入持久的市场生命力。

• 型号:STP10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。