STP10NK70ZFP

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP10NK70ZFP。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其高达700V的漏源电压和8.6A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛的高压环境而生。它所采用的SuperMESH技术，不仅仅是参数的堆砌，更是对低导通电阻（Rds(on)）与快速开关特性的精妙平衡，这意味着您的系统将获得更低的传导损耗和更高的整体效率，让能量转换过程更加“冷静”且高效。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STP10NK70ZFP能够轻松驾驭高压母线，实现干净利落的开关动作。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著减轻了驱动电路的负担，让开关速度更快，开关损耗更低。无论是工业照明驱动、家用电器电源，还是不断电系统（UPS），这颗芯片都能成为您系统中坚如磐石的能量开关核心，确保在各种负载条件下都表现出卓越的稳定性和耐久性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对极端环境挑战。

选择STP10NK70ZFP，就是选择了一份由顶尖半导体技术带来的安心与价值。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，还兼顾了良好的散热性能，确保35W的功率耗散能力得以充分发挥。这意味着您的产品设计可以更加紧凑，同时保持出色的热管理。更重要的是，当您通过值得信赖的ST中国代理进行采购时，您获得的不仅仅是一颗高质量的芯片，更是完整的技术支持、稳定的供货保障和本土化的服务体验。让STP10NK70ZFP成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠且具有成本竞争力的电源解决方案新篇章。

• 型号:STP10NK70ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP10NK70ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。