STP10NK80ZFP

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为高压开关应用中的损耗和散热问题所困扰？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，正为您带来突破性的解决方案。它就是来自意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP10NK80ZFP。这款N沟道MOSFET以其高达800V的漏源电压和9A的连续漏极电流，为您的高压电路筑起一道坚固的屏障，让您在应对严苛的电压冲击时，拥有前所未有的从容与自信。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP10NK80ZFP正发挥着核心作用。它卓越的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业自动化设备中需要稳定运行的马达，还是家用电器中追求静音高效的电源模块，这颗芯片都能确保能量以最高效的方式转换和传递，直接提升您终端产品的性能和用户满意度。

选择STP10NK80ZFP，就是选择了一份经得起时间考验的稳定与安心。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达40W的功率耗散，更在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，适应从酷寒到酷热的各类环境挑战。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了整个系统的效率。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目成功落地的坚实后盾。让STP10NK80ZFP成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:STP10NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP10NK80ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。