STP110N10F7

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的损耗和温升而烦恼？想象一下，一个能承载110A强大电流的开关，其导通电阻却低至惊人的7毫欧，这意味着在每一次开关动作中，能量的浪费被压缩到了极致。这正是STP110N10F7为您带来的核心价值它不是一颗普通的MOSFET，而是意法半导体STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。

无论是服务器电源中需要稳定高效的能量供给，还是工业电机驱动中要求迅猛而精准的扭矩控制，甚至是不断演进的新能源汽车车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，STP110N10F7都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达110A的连续电流能力，为系统提供了宽广的安全工作区和强大的功率处理基础。而TO-220的经典封装，则确保了优异的散热性能和便捷的安装方式，让您的设计在功率升级的道路上既稳健又轻松。

选择STP110N10F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更凉爽的运行温度，这不仅提升了系统整体效率，也显著延长了设备的使用寿命。其优化的栅极电荷(Qg)特性，让驱动电路的设计更为简单高效，有助于实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，助力您的产品实现小型化和轻量化。面对从-55°C到175°C的宽广结温范围挑战，它依然能保持稳定输出，这种可靠性是工业级和汽车级应用的坚实保障。如果您正在寻找一个值得信赖的功率解决方案伙伴，通过专业的ST芯片代理获取STP110N10F7，无疑是迈向成功设计的关键一步。

• 型号:STP110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。