STP110N55F6

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？当电流高达110A的应用场景摆在面前，选择一款既能承载大电流又具备超低导通电阻的MOSFET，无疑是决定系统成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍一款能够重新定义高效功率开关的解决方案STP110N55F6。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其革命性的DeepGATE和STripFET VI技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的5.2毫欧。这意味着在您的高电流应用中，导通损耗将被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。其高达150W的功率耗散能力，配合TO-220封装带来的优秀散热特性，让系统即使在严苛工况下也能保持冷静与稳定，从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，更是为您的设计提供了无与伦比的可靠性保障。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或新能源车车载充电机（OBC）中，STP110N55F6如何大显身手。它就像一位不知疲倦的电力调度官，以高达110A的连续漏极电流吞吐能量，凭借10V的标准驱动电压和优化的栅极电荷（Qg）特性，实现快速、干净的开关动作，极大减少了开关过程中的电压电流重叠损耗，从而提升整个系统的转换效率。无论是追求高功率密度的紧凑型设计，还是需要长时间满载运行的工业设备，它都能游刃有余，成为您提升产品竞争力的秘密武器。

为何在众多选择中，STP110N55F6值得您优先考虑？答案在于它卓越的性能价值比。它将高电流能力、超低导通电阻与稳健的耐用性完美结合，直接帮助您降低系统温升、简化散热设计、提升能效等级，最终节省总体成本并增强终端产品的市场吸引力。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保您的生产与研发计划顺利进行。选择它，就是选择了一份经过市场验证的高效与可靠。

• 型号:STP110N55F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N55F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。