STP11NK50Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP11NK50Z。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的高耐压和10A的连续电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP11NK50Z能够轻松应对严苛的工作环境。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动下仅520毫欧，这意味着在导通状态下，电流流过时产生的热量被大幅抑制，直接带来了更低的功率损耗和更高的能源转换效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）设计确保了快速且干净的开关动作，不仅减少了开关损耗，还显著降低了电磁干扰（EMI），让您的产品更容易通过各项认证，更快地推向市场。

无论是工业自动化设备中驱动电机的变频器，还是服务器电源中需要高效稳定的DC-DC转换模块，甚至是高要求的LED驱动和UPS不间断电源系统，STP11NK50Z都能游刃有余。其坚固的TO-220AB封装提供了出色的散热能力，结合高达125W的功率耗散和-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了器件在连续高负荷或环境温度波动下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的耐用性保障。

为什么众多工程师在众多选项中最终锁定STP11NK50Z？答案在于它实现了性能、可靠性与成本之间的完美平衡。它让您无需在效率上妥协，也无需为潜在的过热风险而过度设计散热系统，从而简化了设计流程，降低了整体物料成本。更重要的是，作为ST意法半导体的明星产品，其供货稳定性和质量一致性享有盛誉。如果您正在寻找可靠的货源，我们作为授权的ST一级代理，不仅能确保您获得正品芯片，还能提供专业的技术支持和灵活的供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即体验STP11NK50Z带来的变革性力量，开启高效、可靠的产品新篇章。

• 型号:STP11NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。