STP11NK50ZFP

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性的双重挑战？今天，我们为您带来一个经过市场验证的成熟解决方案STP11NK50ZFP。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和10A的连续电流能力，早已成为众多高要求应用中的中流砥柱。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、简化散热设计、确保长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是PFC电路还是主变换拓扑，STP11NK50ZFP都能凭借其优异的动态特性，显著降低开关过程中的能量损耗。其低至520毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通压降和更少的热量产生，让您的电源系统在满负荷运行时依然保持“冷静”。而在电机驱动、工业照明镇流器或是UPS不间断电源等场景中，它高达500V的漏源击穿电压提供了宽裕的安全裕度，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为整个系统的鲁棒性筑起坚实防线。

选择STP11NK50ZFP，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。TO-220FP封装在提供出色散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在过往大量成熟、稳定、高产量项目中的卓越表现和不可替代的价值。对于产品生命周期管理、现有系统维护升级或追求极致性价比与可靠性的设计而言，它依然是明智之选。当您需要获取这颗经典器件的技术支持或库存信息时，可以随时联系专业的ST中国代理，他们将为您提供全面的服务。让STP11NK50ZFP的成熟魅力，为您产品的电力核心注入持久而强劲的动力。

• 型号:STP11NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP11NK50ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。