STP11NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在寻求更可靠的功率开关解决方案时，是否曾思考过，一颗小小的功率MOSFET能带来多大的改变？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典答案STP11NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的高耐压和8.5A的连续电流能力，早已成为众多工程师在高压、高效能应用中的信赖之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统稳定运行的强大基石。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，能量需要被快速、精准地切换和控制；在照明领域，无论是LED驱动还是HID镇流器，都要求功率器件在高压下稳定工作；而对于电机驱动、不间断电源（UPS）或工业逆变器而言，可靠性和效率更是生命线。STP11NM50N正是为这些挑战性场景而生。它采用先进的MDmesh II技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着在相同的条件下，它能以更低的导通损耗和开关损耗工作，直接将电能更高效地传递给负载，而不是浪费在发热上。其TO-220AB的经典封装，不仅提供了出色的散热能力，也便于在各类板卡上进行安装和焊接，让您的生产流程更加顺畅。

选择STP11NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能指标如470毫欧的低导通电阻、19nC的低栅极电荷以及高达150°C的结温工作能力使其在存量市场和应用升级中依然极具价值。对于许多成熟、对长期供应稳定性有要求的项目来说，它依然是可靠且高性价比的解决方案。当您需要这颗经典器件的稳定供应或技术咨询时，可以随时联系我们的ST中国代理团队，我们将为您提供专业的支持与服务。让这颗强大的“能量开关”助您扫清设计障碍，释放产品的全部潜能，在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STP11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。