STP11NM60FD

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP11NM60FD。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和11A的连续漏极电流能力，正成为众多工程师在提升系统效率时的秘密武器。它不仅仅是一个开关器件，更是您实现设计突破、降低整体成本的关键一环。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STP11NM60FD能够轻松应对高电压环境，其出色的FDmesh技术确保了极低的导通电阻和开关损耗。这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统效率得以实现，最终让您的终端产品在市场上凭借卓越的能效表现脱颖而出。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费类电子中的适配器，这颗芯片都能提供稳定、高效的功率转换核心。

选择STP11NM60FD，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质保证。其高达160W的功率耗散能力、优化的栅极电荷以及坚固的TO-220AB封装，共同构建了无与伦比的可靠性。它让您的设计不仅性能强劲，更能经受住长时间运行的考验。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保您的项目一路畅通。现在就拥抱STP11NM60FD，开启高效、可靠的电力电子设计新篇章！

• 型号:STP11NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。