STP12NK60Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP12NK60Z。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和10A连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效开关的代名词。它不仅仅是一个晶体管，更是您构建稳定、高效功率系统的坚实基石，其SuperMESH技术带来的超低导通电阻，意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的产品在性能与能效的平衡上脱颖而出。

想象一下，无论是家用电器中的开关电源、PC电源，还是工业领域的电机驱动、UPS不同断电源，甚至是照明系统的电子镇流器，STP12NK60Z都能游刃有余地扮演核心开关角色。它的高耐压特性确保了在电网波动或感性负载切换时拥有充足的裕量，守护系统安全；而TO-220AB的经典封装，则提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，大大简化了您的生产与维护流程。选择它，就是为您的应用场景注入了一剂强心针，让稳定与高效成为产品的固有标签。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐这颗可能已处于停产阶段的明星产品呢？答案在于其无可替代的成熟度与极高的性价比。经过长期的市场验证，STP12NK60Z的性能参数稳定可靠，设计资料丰富，能极大缩短您的开发周期，降低设计风险。对于仍在延续此设计的项目或对存量备件有需求的客户而言，通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以稳定获取高品质的原装产品，确保供应链安全与产品一致性。它代表的是一种经过时间淬炼的价值用最成熟的方案，实现最稳健的性能，这正是精明的工程师和采购者所追求的智慧之选。

• 型号:STP12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。