STP12NK80Z

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住800V高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍意法半导体的明星产品STP12NK80Z。这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈、提升系统可靠性而生的强大引擎。它不仅拥有高达800V的漏源击穿电压和10.5A的连续漏极电流承载能力，更凭借其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷，将开关损耗降至新低，让您的电源转换效率轻松跃升一个台阶。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明驱动这些核心应用场景中，STP12NK80Z正发挥着关键作用。它如同一位不知疲倦的电力调度员，在频繁的开关动作中精准控制能量流向，确保系统在高负荷下依然冷静运行。其高达190W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，意味着它能在各种恶劣环境下稳定服役，大大延长了终端产品的使用寿命和可靠性。选择它，就是为您的产品注入了一颗强劲而可靠的心脏。

为什么众多工程师在面临高压功率设计时，会毫不犹豫地选择STP12NK80Z？理由清晰而有力。首先，其卓越的电气性能参数如低至750毫欧的导通电阻和优化的87nC栅极电荷直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，这意味着更高的整体能效和更少的热量产生，帮助您轻松应对能效法规。其次，经典的TO-220AB封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，简化了生产流程。更重要的是，它源自意法半导体这一全球半导体领袖，品质与供货稳定性有坚实保障。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理合作伙伴，以确保这颗高性能芯片的稳定供应和专业技术支持，那么您已经找到了通往成功设计的关键路径。让STP12NK80Z成为您下一个明星产品的强大基石，共同开启高效、可靠的电力新时代。

• 型号:STP12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。