STP12NM50

您是否正在寻找一款能在高压环境中稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案？想象一下，在工业电源、电机驱动或照明系统的核心，一颗强大的MOSFET正默默承担着能量转换的重任这正是STP12NM50为您呈现的价值舞台。作为ST意法半导体MDmesh家族的代表，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体性能、降低能耗并延长产品寿命的关键伙伴。

当您面对500V的高压应用场景时，STP12NM50展现出了令人信赖的稳健性。其12A的连续漏极电流承载能力，配合仅为350毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗被大幅压缩，发热更少，效率更高。无论是繁忙的服务器电源、需要精确调速的工业电机，还是高亮度LED驱动，这颗芯片都能轻松应对频繁的开关动作，确保系统在-65°C到150°C的严苛温度范围内稳定运行。其TO-220AB的经典封装形式，也为您的设计与散热方案提供了成熟可靠的物理基础。

选择STP12NM50，就是选择了一份经过市场验证的安心。它融合了ST先进的MDmesh技术，在相同的硅片面积下实现了更优的导通电阻与栅极电荷平衡，这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗。对于工程师而言，这意味着设计更简化，系统更高效，产品更具市场竞争力。如果您正在规划或升级您的功率系统，与专业的ST芯片代理合作，获取包括STP12NM50在内的正品支持与技术服务，将是您项目成功的有力保障。让这颗高效能MOSFET成为您下一个明星产品的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP12NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。