STP12NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？答案或许就藏在STP12NM50N这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、简化设计复杂度的得力助手。想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心位置，一颗性能卓越的MOSFET正默默支撑着整个系统的稳定运行，这正是STP12NM50N所扮演的关键角色。

得益于意法半导体先进的MDmesh II技术，这颗芯片在500V的高压和11A的电流下，依然能展现出极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是面对工业电机驱动的严苛要求，还是应对消费类电源适配器对体积和成本的限制，它都能游刃有余。其出色的开关特性和坚固的TO-220AB封装，确保了在从-55°C到150°C的宽广温度范围内，性能始终如一，让您的产品在各种环境下都值得信赖。

选择STP12NM50N，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。它简化了您的设计流程，让工程师无需在性能与成本之间艰难取舍。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典或特定需求项目的理想选择。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST代理进行采购，不仅能确保获得正品，还能获得关于库存、替代方案以及应用设计方面的宝贵建议。让这颗集高效、可靠与高性价比于一身的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:STP12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。