STP130N10F3

当您的电源转换系统需要同时承受高电流与高电压的严苛考验时，您是否在寻找一颗既能担当重任又足够可靠的“心脏”？答案或许就藏在STP130N10F3之中。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义高效与可靠的边界。想象一下，在您的设计中，一个器件就能轻松承载高达120A的连续电流，同时将导通损耗降至极低其最大导通电阻仅为9.6毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，换来的是系统整体效率的显著提升和散热设计的简化。

这种强大的性能使其成为众多高要求应用的理想选择。无论是服务器和数据中心里那些需要24/7不间断运行的冗余电源（PSU），还是工业自动化设备中驱动大功率电机和电磁阀的电机驱动电路，甚至是不断追求更高能量密度的电动汽车车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块，STP130N10F3都能游刃有余。它那高达100V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在电压波动和极端环境温度下的稳定运行，为您的产品提供了坚实的保障，让终端用户享受不间断的强劲动力。

那么，在众多同类产品中，为何要特别关注这颗芯片？首先，其采用的先进STripFET III技术，在硅片层面进行了深度优化，实现了更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）。这不仅意味着它开关速度更快，能适应更高频率的应用，更能显著降低驱动电路的损耗，让您的系统整体能效再上一个台阶。其次，经典的TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（最高250W），兼顾了通孔安装的便利性与强大的散热性能。虽然该型号已处于停产状态，但对于许多现有设计的维护、升级或特定批量的生产而言，它依然是经过市场验证的可靠之选。如需获取库存或寻找替代方案，您可以咨询专业的ST中国代理，他们能为您提供精准的供应链支持与技术建议。选择STP130N10F3，不仅仅是选择了一个元器件，更是为您的产品注入了一颗经久耐用、高效澎湃的“芯”。

• 型号:STP130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130N10F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。