STP130N6F7

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关中保持低温、在重载下依然稳定的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。STP130N6F7的到来，正是为了回应这一挑战。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是意法半导体STripFET F7系列中的效率先锋，其低至5毫欧的导通电阻，意味着在40A的电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量，让您的系统从根源上变得更“冷静”、更可靠。

无论是服务器电源需要应对瞬间的高峰负载，还是工业电机驱动要求长时间稳定运行，甚至是新能源车载充电器对空间和效率的双重严苛标准，STP130N6F7都能游刃有余。其60V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，为各种中高功率应用场景提供了坚实的保障。TO-220AB的经典封装，既保证了优异的散热性能，也兼顾了设计的通用性和便利性。当您需要构建一个从-55°C到175°C都能稳定工作的系统时，它的宽温工作范围就是信心的来源。

选择STP130N6F7，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。它极低的栅极电荷（仅42nC）显著降低了驱动损耗，让开关频率可以更高，从而允许使用更小的磁性元件，帮助您实现电源产品的小型化与轻量化。其卓越的效能表现，直接转化为终端产品更长的续航、更快的响应和更低的运营成本。如果您正在寻找一个能提升产品整体竞争力的核心功率开关，那么这款芯片无疑是值得重点考量的对象。通过值得信赖的ST中国代理，您可以轻松获取这款优质器件及其全面的技术支持，让创新之路更加顺畅。

• 型号:STP130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。