STP13N60DM2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP13N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的600V耐压和11A连续电流能力，正成为工程师们构建高效、紧凑电源系统的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明应用中，每一次开关都伴随着能量的损耗和热量的积聚。STP13N60DM2凭借其先进的MDmesh DM2技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低至仅365毫欧，这意味着在相同的电流下，产生的导通损耗更少，电能得以更高效地传递。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了极快的开关速度，进一步减少了开关损耗，让您的系统在高效与低温间取得完美平衡，轻松应对严苛的工业环境与连续工作挑战。

选择STP13N60DM2，就是选择了一份安心与前瞻性。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和长寿命，显著降低了现场故障率。经典的TO-220封装不仅便于安装和散热，也保证了与现有设计的良好兼容性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP13N60DM2成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启能效新纪元。

• 制造商产品型号：STP13N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：730pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP13N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。