STP13N65M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP13N65M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其650V的耐压能力和10A的连续漏极电流，为您的设计注入了强大的动力与坚实的保障。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh M2系列先进技术的结晶，旨在为您彻底解决高压应用中的效率瓶颈。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP13N65M2正是为这些严苛场景而生。其低至430毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让系统整体效率轻松跃升。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要稳定输出的开关电源，它都能游刃有余，确保能量高效、纯净地传递，让您的终端产品在性能和稳定性上脱颖而出。

选择STP13N65M2，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，而高达150°C的结温（TJ）则赋予了它无与伦比的环境适应性。这意味着您的设计可以更紧凑，散热系统可以更简化，从而在降低整体成本的同时，大幅提升产品的市场竞争力。其卓越的可靠性源自ST意法半导体深厚的工艺积淀，确保在长期满载运行下依然表现稳定。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST代理将为您提供从选型到技术支持的全方位服务，让创新之路畅通无阻。立即采用STP13N65M2，让它成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STP13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。