STP13N80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压、高功率应用中的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您隆重介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率开关解决方案STP13N80K5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH5技术家族的杰出代表，专为应对严苛的工业环境而生。其800V的超高漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为您构建坚固的功率防线，确保系统在最恶劣的电压浪涌下也能稳如磐石。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，STP13N80K5正以其卓越的性能默默工作。它超低的导通电阻（典型值仅450毫欧）意味着更少的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是面对PFC（功率因数校正）电路中的高频开关，还是UPS（不间断电源）中的能量切换，它都能游刃有余，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。选择它，就是为您的设计注入了高效与长寿的基因。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STP13N80K5？答案在于其无与伦比的综合价值。SuperMESH5技术带来了革命性的优化，在保持高击穿电压的同时，显著降低了栅极电荷和输出电容，这使得开关速度更快，开关损耗大幅降低。对于设计工程师而言，这意味着您可以轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件的体积，降低系统成本与尺寸。其坚固的TO-220封装确保了出色的散热能力，最大190W的功率耗散让热管理不再是难题。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STP13N80K5，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的合作伙伴，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。