STP13N95K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压、高功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP13N95K3。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的高压设计注入强劲而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的可靠伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都要求精准且高效。STP13N95K3凭借其先进的SuperMESH3技术，将导通电阻（RdsOn）降至极低水平，在5A电流、10V驱动电压下仅为850毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命。其高达190W的功率耗散能力，配合TO-220封装出色的散热特性，让您的产品即使在严苛环境下也能从容应对。

选择STP13N95K3，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保从寒冷到酷热的各种应用场景都能稳定工作。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得开关速度更快，驱动更轻松，进一步降低了开关损耗，让您的整体电源设计更加高效简洁。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供周到的服务，从选型到量产，全程护航。让STP13N95K3成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N95K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。