STP13NK50Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为寻找一颗能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关管而烦恼？今天，我们为您带来一个久经市场考验的卓越解决方案STP13NK50Z。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的高耐压和11A的连续电流能力，自诞生以来就成为了众多工程师在高压开关应用中的信心之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的坚实基石。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，需要一颗器件来承受高电压的冲击并实现快速切换；在照明领域，无论是LED驱动还是HID镇流器，都要求功率器件高效且可靠；而在电机控制、工业电源乃至不间断电源（UPS）系统中，稳定性和耐用性更是重中之重。这正是STP13NK50Z大显身手的舞台。其采用的SuperMESH技术，是ST的匠心之作，它显著优化了器件的导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。这意味着，在您的高压应用中，它能以更低的导通损耗和更快的开关速度工作，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的设计在能效和热管理方面脱颖而出。

选择STP13NK50Z，就是选择了一份经过验证的可靠性。高达140W的功率耗散能力（Tc条件下）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下都能从容应对。经典的TO-220AB封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场应用基础，使其在存量项目、备件更换或特定设计延续中依然具有极高的价值。当您需要这颗经典器件的可靠供应和专业的技术支持时，可以联系信赖的ST代理商，他们能为您提供关于库存、替代方案或后续升级型号的专业建议。让STP13NK50Z的成熟魅力，继续为您的创新注入稳定而强大的动力。

• 型号:STP13NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。