STP13NM50N

当您的电源设计需要在高电压下保持稳定高效，同时还要应对紧凑空间和散热挑战时，您是否在寻找一个值得信赖的解决方案？答案或许就藏在STP13NM50N这颗强大的功率开关之中。作为ST意法半导体MDmesh II家族的明星成员，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统可靠性、简化设计流程的关键伙伴。凭借其500V的高耐压和12A的连续电流能力，它为工程师提供了坚实的性能基础，让高压应用不再令人望而生畏。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，或者在照明系统的电子镇流器里，STP13NM50N正以其卓越的效率默默工作。其核心优势在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻在10V驱动下，仅320毫欧的Rds(on)值，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这不仅直接提升了整机效率，也让散热设计变得更加轻松，帮助您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的能耗和更高的可靠性脱颖而出。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是电焊机等严苛环境，它都能游刃有余。

选择STP13NM50N，就是选择了一份经过市场验证的安心。TO-220AB的经典封装，兼顾了优异的功率耗散能力（高达100W）和便捷的安装方式。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路设计更为简单，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。为确保您获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石，助您轻松驾驭高压高效的能量世界。

• 型号:STP13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。