STP140N4F6

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够同时实现超低导通电阻、卓越开关性能和出色热管理的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的STP140N4F6，正是这样一款源自意法半导体STripFET F6系列的标杆产品，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效与可靠性的强大引擎。

这款N沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗。这意味着在服务器电源、高性能DC-DC转换器、电机驱动乃至新能源车的辅助电源系统中，STP140N4F6能够显著减少能量在开关管上的浪费，将更多电力高效地输送给负载。其TO-220封装配合168W的强大功率耗散能力，确保了在高负荷运行下的稳定与冷静，让您的设备即使长时间全速运转，也能保持优异的性能与寿命。选择可靠的ST中国代理，您将获得正品保障与全面的技术支持，让创新之路畅通无阻。

当您在设计下一代的工业变频器或UPS不间断电源时，选型理由变得前所未有的清晰。STP140N4F6凭借其优化的栅极电荷特性，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，提升整体频率响应。这不仅让您的电源设计更紧凑、更高效，也直接降低了系统的热管理成本和复杂度。无论是应对突发的负载波动，还是追求更高的功率密度，这颗芯片都能提供坚实而灵活的基础。它代表的是一种设计哲学：将顶尖的半导体技术与实际应用需求深度融合，最终转化为您产品的市场竞争力和用户口碑。拥抱STP140N4F6，就是拥抱一个更高效、更可靠、更具前瞻性的电力电子未来。

• 制造商产品型号：STP140N4F6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP140N4F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。