STP140N6F7

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，当您的电源转换器、电机驱动或负载开关需要处理高达80A的连续电流时，一个微小的导通电阻差异，就可能意味着系统效率的巨大鸿沟和散热成本的显著攀升。今天，我们为您带来一个能够彻底改变这一局面的解决方案STP140N6F7，这颗来自意法半导体STripFET家族的N沟道功率MOSFET，正是为高效与可靠而生的能量掌控大师。

它的核心魅力在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅3.5毫欧的Rds(on)值，意味着在高达40A的电流通过时，产生的导通损耗微乎其微。这不仅直接转化为更高的系统效率，更能让您的设备运行更凉爽，显著降低对散热系统的依赖和整体方案成本。无论是服务器电源、工业变频器，还是新能源车的车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STP140N6F7都能游刃有余地应对高频开关和持续大电流的严苛挑战，确保能量以最顺畅、最经济的方式流动。

选择STP140N6F7，您选择的不仅仅是一个高性能的功率开关。您选择的是意法半导体经过市场验证的STripFET技术，它确保了器件在175°C的高结温下依然稳定工作，提供了更宽的安全操作裕度。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)组合，让驱动设计更为轻松，有助于提升开关频率，从而让您的电源产品可以做得更小、更紧凑。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP140N6F7成为您下一代高效能设计的强大心脏，释放每一瓦电力的全部潜能，赢得市场竞争的先机。

• 型号:STP140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP140N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。